casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / HSMS-2825-TR2G
codice articolo del costruttore | HSMS-2825-TR2G |
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Numero di parte futuro | FT-HSMS-2825-TR2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-2825-TR2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky - 2 Independent |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 15V |
Corrente - max | 1A |
Capacità @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 12 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-143-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2825-TR2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HSMS-2825-TR2G-FT |
BAR9002LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT1502LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6202LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAT 62-09S E6327
Infineon Technologies
BAT 68-08S E6327
Infineon Technologies
BAR8802VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR6302VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BA89202VH6127XTSA1
Infineon Technologies
BAR5002VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR6502VH6327XTSA1
Infineon Technologies
EP20K30ETC144-2N
Intel
XC6SLX75T-2FG484C
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C8N
Intel
EP4SE360H29I4N
Intel
5SGXEA7H3F35C4N
Intel
LFXP2-8E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation