casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / HSMS-2808-BLKG
codice articolo del costruttore | HSMS-2808-BLKG |
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Numero di parte futuro | FT-HSMS-2808-BLKG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-2808-BLKG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky - 1 Bridge |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 70V |
Corrente - max | 1A |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 35 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-143-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2808-BLKG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HSMS-2808-BLKG-FT |
BAR6402ELE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAR9002ELE6327XTMA1
Infineon Technologies
BA 892-02L E6327
Infineon Technologies
BAR 50-02L E6327
Infineon Technologies
BAR 64-02LRH E6433
Infineon Technologies
BAR 65-02L E6327
Infineon Technologies
BAR 88-02LRH E6433
Infineon Technologies
BAR6302LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAR6302LE6433XT
Infineon Technologies
BAR6402LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XCKU035-L1FBVA900I
Xilinx Inc.
AGLN030V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EP3C16F484I7
Intel
EP1S20F484C7
Intel
LFXP3C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3SG
Intel
10AX090N3F40E2SG
Intel
5AGXBB1D4F31C4N
Intel