casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / HSCH-5330
codice articolo del costruttore | HSCH-5330 |
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Numero di parte futuro | FT-HSCH-5330 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSCH-5330 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky - Single |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 4V |
Corrente - max | - |
Capacità @ Vr, F | 0.1pF @ 0V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 20 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipazione di potenza (max) | 1W |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Pacchetto / caso | 2-SMD, Beam Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSCH-5330 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HSCH-5330-FT |
HSMP-386C-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-386E-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-386E-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-386E-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-386F-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-386F-TR1
Broadcom Limited
HSMP-386F-TR1G
Broadcom Limited
HSMP-386F-TR2G
Broadcom Limited
HSMP-389B-BLKG
Broadcom Limited
HSMP-389B-TR1G
Broadcom Limited
M2GL025T-1VFG256
Microsemi Corporation
M2GL050-VF400
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4N
Intel
EP4CE115F23I7
Intel
EP2C8F256C6
Intel
EP2AGX125DF25C6N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
AX500-FG676I
Microsemi Corporation
EP1K10QC208-1N
Intel