casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS5B V6G
codice articolo del costruttore | HS5B V6G |
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Numero di parte futuro | FT-HS5B V6G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS5B V6G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS5B V6G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS5B V6G-FT |
ES3DHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3DVHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3DVHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3JHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR360SHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR460SHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3AHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3MHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10GCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10JCHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel