casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS5B V6G
codice articolo del costruttore | HS5B V6G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-HS5B V6G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS5B V6G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS5B V6G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS5B V6G-FT |
ES3DHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3DVHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3DVHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3JHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR360SHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR460SHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3AHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3MHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10GCHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
S10JCHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel