casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS3M V6G
codice articolo del costruttore | HS3M V6G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-HS3M V6G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS3M V6G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS3M V6G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS3M V6G-FT |
SS26HM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26HR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3DHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3DHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3DVHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3DVHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES3JHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR360SHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR460SHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS3AHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation