casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS3J R7G
codice articolo del costruttore | HS3J R7G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-HS3J R7G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS3J R7G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS3J R7G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS3J R7G-FT |
SK59BHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK59BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK59C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK810C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK82C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK82C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK83C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK83C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK84C V6G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK84C V7G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel