casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS2K R5G
codice articolo del costruttore | HS2K R5G |
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Numero di parte futuro | FT-HS2K R5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS2K R5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS2K R5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS2K R5G-FT |
S1G-JR3
Taiwan Semiconductor Corporation
S1G-KR2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1G-KR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GR2
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GR3
Taiwan Semiconductor Corporation
S1J-JR2
Taiwan Semiconductor Corporation
S1J-JR3
Taiwan Semiconductor Corporation
S1J-KR2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1J-KR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JR2
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel