codice articolo del costruttore | HS1MFL |
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Numero di parte futuro | FT-HS1MFL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS1MFL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 6pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123F |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123FL |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1MFL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS1MFL-FT |
SSL12HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SSL13 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SSL13 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SSL13HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SSL13HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SSL14 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SSL14HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SSL14HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1A M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
US1A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel