casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS1FL RVG
codice articolo del costruttore | HS1FL RVG |
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Numero di parte futuro | FT-HS1FL RVG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS1FL RVG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1FL RVG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS1FL RVG-FT |
TSSE3U45HRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSE3H60 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1JLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13LSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1KLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
EP20K30ETC144-2
Intel
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC4020XL-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
LCMXO3LF-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40I1SG
Intel