casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS1DL RVG
codice articolo del costruttore | HS1DL RVG |
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Numero di parte futuro | FT-HS1DL RVG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS1DL RVG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1DL RVG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS1DL RVG-FT |
SS14LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS1H10LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1MLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1MLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1KLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1KLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14LSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel