casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS1DL RQG
codice articolo del costruttore | HS1DL RQG |
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Numero di parte futuro | FT-HS1DL RQG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS1DL RQG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1DL RQG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS1DL RQG-FT |
B0540W RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAT42W RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
B0530W RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
B0520LW RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAT43W RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SD101AW RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SD101BW RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SD101CW RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SD103AW RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SD103BW RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation