casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS1DL R3G
codice articolo del costruttore | HS1DL R3G |
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Numero di parte futuro | FT-HS1DL R3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS1DL R3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1DL R3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS1DL R3G-FT |
SS26LHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS29L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel