casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS1B M2G
codice articolo del costruttore | HS1B M2G |
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Numero di parte futuro | FT-HS1B M2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS1B M2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1B M2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS1B M2G-FT |
S1MHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2MA M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK210AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK215AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK22A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK23A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK23AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK24A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK24AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK26AHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel