casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS1BL RVG
codice articolo del costruttore | HS1BL RVG |
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Numero di parte futuro | FT-HS1BL RVG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS1BL RVG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1BL RVG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS1BL RVG-FT |
SS1H4LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSE3U45HRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSSE3H60 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1JLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS110LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13LSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1MLS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
RS1KLSHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13LS RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX02-1VQ80M
Microsemi Corporation
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
APA600-FG676
Microsemi Corporation
A40MX02-1PQ100
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
Intel