casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS18135R
codice articolo del costruttore | HS18135R |
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Numero di parte futuro | FT-HS18135R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS18135R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente: media rettificata (Io) | 180A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 180A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4mA @ 35V |
Capacità @ Vr, F | 7500pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | HALF-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | HALF-PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS18135R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS18135R-FT |
GP10GE-110E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-110E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-124E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-146M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-159E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-161E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-167E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-6329M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10J-051M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10J-086M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel