casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS18135R
codice articolo del costruttore | HS18135R |
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Numero di parte futuro | FT-HS18135R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS18135R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Corrente: media rettificata (Io) | 180A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 180A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4mA @ 35V |
Capacità @ Vr, F | 7500pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | HALF-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | HALF-PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS18135R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS18135R-FT |
GP10GE-110E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-110E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-124E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-146M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-159E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-161E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-167E3/93
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10GE-6329M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10J-051M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10J-086M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel