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codice articolo del costruttore | HK2125R10J-T |
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Numero di parte futuro | FT-HK2125R10J-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HK |
HK2125R10J-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 100nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 300mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 900 mOhm Max |
Q @ Freq | 18 @ 100MHz |
Frequenza - Autorisonante | 600MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HK2125R10J-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HK2125R10J-T-FT |
LB2012T100KR
Taiyo Yuden
CK2125100M-T
Taiyo Yuden
LBR2012T470K
Taiyo Yuden
CBC2012T1R0M
Taiyo Yuden
LB2012T470M
Taiyo Yuden
CB2012T100K
Taiyo Yuden
CB2012T1R0M
Taiyo Yuden
LBR2012T2R2M
Taiyo Yuden
CBL2012T100M
Taiyo Yuden
CK2125R47M-T
Taiyo Yuden
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel