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Renesas Electronics America Inc. HIP6601BECB

Name: HIP6601BECB
Brand: Renesas Electronics America Inc.
SKU: HIP6601BECB
Availability: InStock
Rating: 5.0 (735 reviews)

Numero parte MFG: HIP6601BECB

quantità disponibile: 74220 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Renesas Electronics America Inc.

Breve descrizione: - IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: PMIC - Gate Driver

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: HIP6601BECB.pdf

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HIP6601BECB specificazioni

codice articolo del costruttore	HIP6601BECB
Numero di parte futuro	FT-HIP6601BECB
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
HIP6601BECB Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Configurazione guidata	Half-Bridge
Tipo di canale	Synchronous
Numero di driver	2
Gate Type	N-Channel MOSFET
Tensione - Fornitura	10.8V ~ 13.2V
Tensione logica - VIL, VIH	-
Corrente - Uscita di picco (sorgente, lavello)	-
Tipo di input	Non-Inverting
Tensione lato alto - Max (Bootstrap)	15V
Rise / Fall Time (Typ)	20ns, 20ns
temperatura di esercizio	0°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOIC-EP
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HIP6601BECB Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	HIP6601BECB-FT

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