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HIP6601BCBZ Image

Renesas Electronics America Inc. HIP6601BCBZ

Numero parte MFG
HIP6601BCBZ
quantità disponibile
59360 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 2.504
Il nostro prezzo
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Data di spedizione
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fabbricante
Renesas Electronics America Inc.
Breve descrizione
- IC DRIVER MOSFET DUAL 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
PMIC - Gate Driver
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
HIP6601BCBZ.pdf
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HIP6601BCBZ specificazioni

codice articolo del costruttore HIP6601BCBZ
Numero di parte futuro FT-HIP6601BCBZ
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
HIP6601BCBZ Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Last Time Buy
Configurazione guidata Half-Bridge
Tipo di canale Synchronous
Numero di driver 2
Gate Type N-Channel MOSFET
Tensione - Fornitura 10.8V ~ 13.2V
Tensione logica - VIL, VIH -
Corrente - Uscita di picco (sorgente, lavello) -
Tipo di input Non-Inverting
Tensione lato alto - Max (Bootstrap) 15V
Rise / Fall Time (Typ) 20ns, 20ns
temperatura di esercizio 0°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HIP6601BCBZ Peso Contattaci
Numero parte di ricambio HIP6601BCBZ-FT

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