casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HHV1WSJR-73-8M2
codice articolo del costruttore | HHV1WSJR-73-8M2 |
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Numero di parte futuro | FT-HHV1WSJR-73-8M2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HHV |
HHV1WSJR-73-8M2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 8.2 MOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Metal Film |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, High Voltage, Safety |
Coefficiente di temperatura | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.177" Dia x 0.453" L (4.50mm x 11.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HHV1WSJR-73-8M2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HHV1WSJR-73-8M2-FT |
HHV-25JR-52-2M7
Yageo
HHV-25JR-52-390K
Yageo
HHV-25JR-52-3M3
Yageo
HHV-25JR-52-3M9
Yageo
HHV-25JR-52-4M7
Yageo
HHV-25JR-52-510K
Yageo
HHV-25JR-52-560K
Yageo
HHV-25JR-52-5M1
Yageo
HHV-25JR-52-5M6
Yageo
HHV-25JR-52-750K
Yageo
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XCV200-4FG256I
Xilinx Inc.
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C6
Intel
10AX032H2F34E2SG
Intel
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35I4N
Intel