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ON Semiconductor HGTP12N60A4D

Name: HGTP12N60A4D
Brand: ON Semiconductor
SKU: HGTP12N60A4D
Price: 2.352 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (85 reviews)

Numero parte MFG: HGTP12N60A4D

quantità disponibile: 75040 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 2.352

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - IGBT 600V 54A 167W TO220AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: HGTP12N60A4D.pdf

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HGTP12N60A4D specificazioni

codice articolo del costruttore	HGTP12N60A4D
Numero di parte futuro	FT-HGTP12N60A4D
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
HGTP12N60A4D Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Not For New Designs
Tipo IGBT	-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	54A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)	96A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 12A
Potenza - Max	167W
Cambiare energia	55µJ (on), 50µJ (off)
Tipo di input	Standard
Carica del cancello	78nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C	17ns/96ns
Condizione di test	390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)	30ns
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGTP12N60A4D Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	HGTP12N60A4D-FT

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