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ON Semiconductor HGTP12N60A4D

Numero parte MFG
HGTP12N60A4D
quantità disponibile
75040 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 2.352
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- IGBT 600V 54A 167W TO220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - IGBT - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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HGTP12N60A4D specificazioni

codice articolo del costruttore HGTP12N60A4D
Numero di parte futuro FT-HGTP12N60A4D
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
HGTP12N60A4D Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Not For New Designs
Tipo IGBT -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 54A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 96A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
Potenza - Max 167W
Cambiare energia 55µJ (on), 50µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 78nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 17ns/96ns
Condizione di test 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 30ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGTP12N60A4D Peso Contattaci
Numero parte di ricambio HGTP12N60A4D-FT

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