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ON Semiconductor HGTP10N120BN
- Numero parte MFG
- HGTP10N120BN
- quantità disponibile
- 99380 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 1.427168
- Il nostro prezzo
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- ON Semiconductor
- Breve descrizione
- - IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - IGBT - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- HGTP10N120BN.pdf
HGTP10N120BN specificazioni
| codice articolo del costruttore | HGTP10N120BN |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-HGTP10N120BN |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| HGTP10N120BN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo IGBT | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 35A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 80A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Potenza - Max | 298W |
| Cambiare energia | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 100nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 23ns/165ns |
| Condizione di test | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| HGTP10N120BN Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | HGTP10N120BN-FT |
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