casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / HGTG12N60C3D
codice articolo del costruttore | HGTG12N60C3D |
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Numero di parte futuro | FT-HGTG12N60C3D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HGTG12N60C3D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 24A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 96A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 15A |
Potenza - Max | 104W |
Cambiare energia | 380µJ (on), 900µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 48nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
Condizione di test | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | 42ns |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HGTG12N60C3D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HGTG12N60C3D-FT |
IGU04N60TAKMA1
Infineon Technologies
IKU04N60RBKMA1
Infineon Technologies
IKU06N60RBKMA1
Infineon Technologies
IKU10N60RBKMA1
Infineon Technologies
IKU15N60RBKMA1
Infineon Technologies
IKA15N65ET6XKSA2
Infineon Technologies
IKA08N65ET6XKSA1
Infineon Technologies
IKA10N65ET6XKSA2
Infineon Technologies
IKA15N65F5XKSA1
Infineon Technologies
IRG4IBC10UD
Infineon Technologies
A54SX16P-TQG144
Microsemi Corporation
XC7A15T-3FGG484E
Xilinx Inc.
EP1K10TI100-2
Intel
5SGXEA7K1F40C2L
Intel
10AX027E2F29I2SG
Intel
XC6VLX760-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC2VP30-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AX500-1FG676I
Microsemi Corporation
AGL060V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation