casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / HGTG12N60B3
codice articolo del costruttore | HGTG12N60B3 |
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Numero di parte futuro | FT-HGTG12N60B3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HGTG12N60B3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo IGBT | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 27A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 110A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 12A |
Potenza - Max | 104W |
Cambiare energia | 150µJ (on), 250µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 51nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 26ns/150ns |
Condizione di test | 480V, 12A, 25 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HGTG12N60B3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HGTG12N60B3-FT |
IKU10N60RBKMA1
Infineon Technologies
IKU15N60RBKMA1
Infineon Technologies
IKA15N65ET6XKSA2
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IKA08N65ET6XKSA1
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IKA10N65ET6XKSA2
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IKA15N65F5XKSA1
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IRG4IBC10UD
Infineon Technologies
IRG4IBC20FD
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IRG4IBC20KD
Infineon Technologies
IRG4IBC20W
Infineon Technologies
LFEC1E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S50-5FGG256I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256K
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100I
Microsemi Corporation
10CX150YF672I5G
Intel
A3P125-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE5U-45F-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C6
Intel
EP4SGX230HF35I4
Intel