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ON Semiconductor HGT1S10N120BNST

Name: HGT1S10N120BNST
Brand: ON Semiconductor
SKU: HGT1S10N120BNST
Price: 1.442368 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (138 reviews)

Numero parte MFG: HGT1S10N120BNST

quantità disponibile: 95280 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1.442368

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: HGT1S10N120BNST.pdf

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HGT1S10N120BNST specificazioni

codice articolo del costruttore	HGT1S10N120BNST
Numero di parte futuro	FT-HGT1S10N120BNST
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
HGT1S10N120BNST Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo IGBT	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	35A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)	80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 10A
Potenza - Max	298W
Cambiare energia	320µJ (on), 800µJ (off)
Tipo di input	Standard
Carica del cancello	100nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C	23ns/165ns
Condizione di test	960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)	-
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGT1S10N120BNST Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	HGT1S10N120BNST-FT

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