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ON Semiconductor HGT1S10N120BNST
- Numero parte MFG
- HGT1S10N120BNST
- quantità disponibile
- 95280 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 1.442368
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- ON Semiconductor
- Breve descrizione
- - IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - IGBT - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- HGT1S10N120BNST.pdf
HGT1S10N120BNST specificazioni
| codice articolo del costruttore | HGT1S10N120BNST |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-HGT1S10N120BNST |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| HGT1S10N120BNST Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 35A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 80A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Potenza - Max | 298W |
| Cambiare energia | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 100nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 23ns/165ns |
| Condizione di test | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| HGT1S10N120BNST Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | HGT1S10N120BNST-FT |
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