casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HERAF1606G C0G
codice articolo del costruttore | HERAF1606G C0G |
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Numero di parte futuro | FT-HERAF1606G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HERAF1606G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 80ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 Full Pack |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HERAF1606G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HERAF1606G C0G-FT |
TST30H150CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST30L200CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST20L200CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST20L60CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST30L45CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST30U45CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST20U45CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST20U60C C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST20H120CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST10L200CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
Intel
5SGXMA7N2F45C2
Intel
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFXP3E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP1C12F324C8
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel