casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HER301-AP
codice articolo del costruttore | HER301-AP |
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Numero di parte futuro | FT-HER301-AP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER301-AP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 40V |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER301-AP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HER301-AP-FT |
1N4004GP-TP
Micro Commercial Co
UF4004-TP
Micro Commercial Co
UF4007-TP
Micro Commercial Co
1N4001
Micro Commercial Co
1N4002
Micro Commercial Co
1N4003
Micro Commercial Co
1N4004
Micro Commercial Co
1N4005
Micro Commercial Co
1N4006
Micro Commercial Co
1N4007
Micro Commercial Co
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel