casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HER105G-TP
codice articolo del costruttore | HER105G-TP |
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Numero di parte futuro | FT-HER105G-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER105G-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AC, DO-15, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-41 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER105G-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HER105G-TP-FT |
PS411625
Powerex Inc.
PS411825
Powerex Inc.
R7S02012XX
Powerex Inc.
RB551V-40 RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
RB706F-40 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
SBR10M100P5Q-13
Diodes Incorporated
SBR10M100P5Q-13D
Diodes Incorporated
SBR15U50SP5Q-13
Diodes Incorporated
SBR1A40S3Q-7
Diodes Incorporated
SBR3A40P1-7
Diodes Incorporated
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation