casa / prodotti / Relè / Relè di potenza, oltre 2 amp / HE2AN-Q-DC6V
codice articolo del costruttore | HE2AN-Q-DC6V |
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Numero di parte futuro | FT-HE2AN-Q-DC6V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HE |
HE2AN-Q-DC6V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di relè | Chassis Mount |
Tipo di bobina | 6VDC |
Bobina di corrente | DPST-NO (2 Form A) |
Voltaggio della bobina | 25A |
Modulo di Contatto | 277VAC, 30VDC - Max |
Rating del contatto (corrente) | 320mA |
Tensione di commutazione | Non Latching |
Accensione Tensione (max) | - |
Spegnere la tensione (min) | Quick Connect - 0.250" (6.3mm) |
Operare tempo | 4.2 VDC |
Tempo di rilascio | 0.6 VDC |
Caratteristiche | 30ms |
Tipo di montaggio | 10ms |
Stile di terminazione | -50°C ~ 55°C |
temperatura di esercizio | Silver Tin Oxide (AgSnO) |
General Purpose | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HE2AN-Q-DC6V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HE2AN-Q-DC6V-FT |
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A40MX04-3VQG80
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC2S200-5PQG208C
Xilinx Inc.
M7AFS600-1FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27C6N
Intel
EP3C40U484C6N
Intel
EP20K200FC484-2XN
Intel
5SGSMD3E1H29C2N
Intel
LFE3-17EA-8LMG328C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F1508I4N
Intel