casa / prodotti / Relè / Relè di potenza, oltre 2 amp / HE2AN-Q-DC110V
codice articolo del costruttore | HE2AN-Q-DC110V |
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Numero di parte futuro | FT-HE2AN-Q-DC110V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HE |
HE2AN-Q-DC110V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di relè | Chassis Mount |
Tipo di bobina | 110VDC |
Bobina di corrente | DPST-NO (2 Form A) |
Voltaggio della bobina | 25A |
Modulo di Contatto | 277VAC, 30VDC - Max |
Rating del contatto (corrente) | 17.5mA |
Tensione di commutazione | Non Latching |
Accensione Tensione (max) | - |
Spegnere la tensione (min) | Quick Connect - 0.250" (6.3mm) |
Operare tempo | 77 VDC |
Tempo di rilascio | 11 VDC |
Caratteristiche | 30ms |
Tipo di montaggio | 10ms |
Stile di terminazione | -50°C ~ 55°C |
temperatura di esercizio | Silver Tin Oxide (AgSnO) |
General Purpose | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HE2AN-Q-DC110V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HE2AN-Q-DC110V-FT |
HJ4-L-AC200V
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HJ4-L-AC100V
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HJ4-L-AC12V
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HJ2-L-AC240V
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HJ2-L-AC24V
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XCV150-4FG456I
Xilinx Inc.
APA300-FG256A
Microsemi Corporation
A54SX16A-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
EP4SE360H29C2N
Intel
EP4SGX290FH29I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
AGL250V5-CS196I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F1020C4
Intel