casa / prodotti / Relè / Relè di potenza, oltre 2 amp / HE1AN-Q-DC6V
codice articolo del costruttore | HE1AN-Q-DC6V |
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Numero di parte futuro | FT-HE1AN-Q-DC6V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HE |
HE1AN-Q-DC6V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di relè | Chassis Mount |
Tipo di bobina | 6VDC |
Bobina di corrente | SPST-NO (1 Form A) |
Voltaggio della bobina | 30A |
Modulo di Contatto | 277VAC, 30VDC - Max |
Rating del contatto (corrente) | 320mA |
Tensione di commutazione | Non Latching |
Accensione Tensione (max) | - |
Spegnere la tensione (min) | Quick Connect - 0.250" (6.3mm) |
Operare tempo | 4.2 VDC |
Tempo di rilascio | 0.6 VDC |
Caratteristiche | 30ms |
Tipo di montaggio | 10ms |
Stile di terminazione | -50°C ~ 55°C |
temperatura di esercizio | Silver Tin Oxide (AgSnO) |
General Purpose | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HE1AN-Q-DC6V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HE1AN-Q-DC6V-FT |
HJ4-T-AC12V
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A54SX16A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
EPF10K100EFI484-3N
Intel
5SGXEA5N2F45I2LN
Intel
5SGXMA5N1F45C2N
Intel
A54SX08A-TQ100
Microsemi Corporation
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100ABC356-3N
Intel
EP4SGX70HF35C2G
Intel