casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HDM14JT200R
codice articolo del costruttore | HDM14JT200R |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-HDM14JT200R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HDM |
HDM14JT200R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 200 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Carbon Film |
Caratteristiche | Moisture Resistant |
Coefficiente di temperatura | -500/ +350ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.071" Dia x 0.126" L (1.80mm x 3.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HDM14JT200R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HDM14JT200R-FT |
FRN14JT82R0
Stackpole Electronics Inc
FRN14JTR220
Stackpole Electronics Inc
FRN1JT100R
Stackpole Electronics Inc
FRN1JT10R0
Stackpole Electronics Inc
FRN1JT15R0
Stackpole Electronics Inc
FRN1JT1R00
Stackpole Electronics Inc
FRN1JT27R0
Stackpole Electronics Inc
FRN1JT2R20
Stackpole Electronics Inc
FRN1JT51R0
Stackpole Electronics Inc
FRN1JT560R
Stackpole Electronics Inc
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XCV200-4FG256I
Xilinx Inc.
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C6
Intel
10AX032H2F34E2SG
Intel
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35I4N
Intel