casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / HDBLS106G RDG
codice articolo del costruttore | HDBLS106G RDG |
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Numero di parte futuro | FT-HDBLS106G RDG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
HDBLS106G RDG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | DBLS |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HDBLS106G RDG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HDBLS106G RDG-FT |
GBPC3502W T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC3504W T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC3506W T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC3508W T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC3510W T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC15005M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC1501M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC1502M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC1504M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC1506M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel