casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HCT7000MTX
codice articolo del costruttore | HCT7000MTX |
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Numero di parte futuro | FT-HCT7000MTX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HCT7000MTX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±40V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-SMD |
Pacchetto / caso | 3-SMD, No Lead |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HCT7000MTX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HCT7000MTX-FT |
IRF9520L
Vishay Siliconix
IRF9530L
Vishay Siliconix
IRF9540L
Vishay Siliconix
IRF9610L
Vishay Siliconix
IRF9620L
Vishay Siliconix
IRF9630L
Vishay Siliconix
IRF9640L
Vishay Siliconix
IRF9Z14L
Vishay Siliconix
IRFBC20L
Vishay Siliconix
IRFBC20LPBF
Vishay Siliconix
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel