casa / prodotti / isolatori / Isolatori - Gate driver / HCNW3120-300E
codice articolo del costruttore | HCNW3120-300E |
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Numero di parte futuro | FT-HCNW3120-300E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HCNW3120-300E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tecnologia | Optical Coupling |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
Immunità transitoria in modalità comune (min) | 25kV/µs |
Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | 500ns, 500ns |
Distorsione larghezza impulso (max) | 300ns |
Rise / Fall Time (Typ) | 100ns, 100ns |
Corrente - Uscita alta, bassa | 2A, 2A |
Corrente: picco di uscita | 2.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.6V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 25mA |
Tensione - Fornitura | 15V ~ 30V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DIP Gull Wing |
approvazioni | CSA, IEC/EN/DIN, UR |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HCNW3120-300E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HCNW3120-300E-FT |
TLP2451A(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP2451A(TP,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP352(TP1,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP352(LF1,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP351H(D4-TP1,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP351H(TP1,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP352(D4-TP1,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP351(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP350(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
TLP352(D4,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XA3S100E-4TQG144Q
Xilinx Inc.
XC3S2000-4FGG456I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ300FH29I4N
Intel
5AGXBA5D4F27I5N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
LFXP20C-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1508C6
Intel
EPF10K130EBC356-1
Intel