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codice articolo del costruttore | HC9-2R2-R |
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Numero di parte futuro | FT-HC9-2R2-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HC9 |
HC9-2R2-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 17.2A |
Corrente - Saturazione | 26A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 3.37 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 155°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.555" L x 0.516" W (14.10mm x 13.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.295" (7.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HC9-2R2-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HC9-2R2-R-FT |
MPI4040R3-R47-R
Eaton - Electronics Division
LDS0705-221M-R
Eaton - Electronics Division
LDS0705-6R8M-R
Eaton - Electronics Division
LDS0705-220M-R
Eaton - Electronics Division
LDS0705-101M-R
Eaton - Electronics Division
LDS0705-100M-R
Eaton - Electronics Division
LD1-1R0-R
Eaton - Electronics Division
LD1-470-R
Eaton - Electronics Division
LD1-100-R
Eaton - Electronics Division
LD1-120-R
Eaton - Electronics Division
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FG456C
Xilinx Inc.
EP2S60F484C3
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFE3-95E-8FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508C3N
Intel