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codice articolo del costruttore | HC9-1R0-R |
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Numero di parte futuro | FT-HC9-1R0-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HC9 |
HC9-1R0-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 23.7A |
Corrente - Saturazione | 41A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.87 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 155°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.528" L x 0.516" W (13.40mm x 13.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.295" (7.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HC9-1R0-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HC9-1R0-R-FT |
LDS0705-220M-R
Eaton - Electronics Division
LDS0705-101M-R
Eaton - Electronics Division
LDS0705-100M-R
Eaton - Electronics Division
LD1-1R0-R
Eaton - Electronics Division
LD1-470-R
Eaton - Electronics Division
LD1-100-R
Eaton - Electronics Division
LD1-120-R
Eaton - Electronics Division
LD1-150-R
Eaton - Electronics Division
LD1-180-R
Eaton - Electronics Division
LD1-1R4-R
Eaton - Electronics Division
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel