casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HBA22MFZRE
codice articolo del costruttore | HBA22MFZRE |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-HBA22MFZRE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HBA22MFZRE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 22 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.4W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 0.315" L x 0.102" W (8.00mm x 2.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.492" (12.50mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HBA22MFZRE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HBA22MFZRE-FT |
H8221RBYA
TE Connectivity Passive Product
H8226RBYA
TE Connectivity Passive Product
H823K2BYA
TE Connectivity Passive Product
H8240KFYA
TE Connectivity Passive Product
H82K26BYA
TE Connectivity Passive Product
H8392RBYA
TE Connectivity Passive Product
H83K0FDA
TE Connectivity Passive Product
H83K0FYA
TE Connectivity Passive Product
H83K32FDA
TE Connectivity Passive Product
H83K57BYA
TE Connectivity Passive Product
LFXP6E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EX256-TQG100A
Microsemi Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-UCG81
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXMA9K3H40C2N
Intel
A42MX16-1PQ160M
Microsemi Corporation