casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HBA100MFZRE
codice articolo del costruttore | HBA100MFZRE |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-HBA100MFZRE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HBA100MFZRE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 0.4W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 0.315" L x 0.102" W (8.00mm x 2.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.492" (12.50mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HBA100MFZRE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HBA100MFZRE-FT |
H823K2BYA
TE Connectivity Passive Product
H8240KFYA
TE Connectivity Passive Product
H82K26BYA
TE Connectivity Passive Product
H8392RBYA
TE Connectivity Passive Product
H83K0FDA
TE Connectivity Passive Product
H83K0FYA
TE Connectivity Passive Product
H83K32FDA
TE Connectivity Passive Product
H83K57BYA
TE Connectivity Passive Product
H842K2BYA
TE Connectivity Passive Product
H845K3BYA
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX100-2FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA9K2H40I2LN
Intel
5SGXEA7H3F35I3N
Intel
XC7A50T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A40MX04-3PL84I
Microsemi Corporation
A42MX09-PQG160I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-6MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34E2LG
Intel