casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HB35M0JRZE
codice articolo del costruttore | HB35M0JRZE |
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Numero di parte futuro | FT-HB35M0JRZE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB35M0JRZE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 5 MOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 2.047" L x 0.118" W (52.00mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.409" (10.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB35M0JRZE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HB35M0JRZE-FT |
H886R6BDA
TE Connectivity Passive Product
H888R7BCA
TE Connectivity Passive Product
H888R7BDA
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H8909RBCA
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H891KBDA
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EX64-TQ64
Microsemi Corporation
A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16E144A7N
Intel
5SEEBH40C4N
Intel
XC6VHX380T-2FF1923CES9945
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FF676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA3H3F35C2N
Intel