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codice articolo del costruttore | HB35M0JRZE |
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Numero di parte futuro | FT-HB35M0JRZE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB35M0JRZE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 5 MOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 2.047" L x 0.118" W (52.00mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.409" (10.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB35M0JRZE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HB35M0JRZE-FT |
H886R6BDA
TE Connectivity Passive Product
H888R7BCA
TE Connectivity Passive Product
H888R7BDA
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H8909RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8909RBDA
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H890R9BCA
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H890R9BDA
TE Connectivity Passive Product
H890R9BZA
TE Connectivity Passive Product
H891KBDA
TE Connectivity Passive Product
H8931RBCA
TE Connectivity Passive Product
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
A3P400-1PQG208
Microsemi Corporation
A54SX72A-FPQ208
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-5QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-2
Intel
EPF10K130EFC672-2X
Intel
EP2S30F484C5
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
5CGTFD9C5F23I7N
Intel
EPF10K30BC356-3
Intel