casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HB35M0FZRE
codice articolo del costruttore | HB35M0FZRE |
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Numero di parte futuro | FT-HB35M0FZRE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB35M0FZRE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 5 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 2.047" L x 0.118" W (52.00mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.409" (10.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB35M0FZRE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HB35M0FZRE-FT |
H845K3BYA
TE Connectivity Passive Product
H847KFCA
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H8750RDCA
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H878R7BYA
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H884R5BCA
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H884R5BDA
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H8866RBYA
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H886R6BCA
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H886R6BDA
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EP1K30TC144-3
Intel
XCVU065-2FFVC1517I
Xilinx Inc.
XC3S400-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3P1000-FG484T
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXEA9K2H40I3N
Intel
EP3SL150F1152C3
Intel
A40MX02-1PL44
Microsemi Corporation