casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HB35M0FZRE
codice articolo del costruttore | HB35M0FZRE |
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Numero di parte futuro | FT-HB35M0FZRE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB35M0FZRE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 5 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 2.047" L x 0.118" W (52.00mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.409" (10.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB35M0FZRE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HB35M0FZRE-FT |
H845K3BYA
TE Connectivity Passive Product
H847KFCA
TE Connectivity Passive Product
H8750RDCA
TE Connectivity Passive Product
H878R7BYA
TE Connectivity Passive Product
H884R5BCA
TE Connectivity Passive Product
H884R5BDA
TE Connectivity Passive Product
H884R5BZA
TE Connectivity Passive Product
H8866RBYA
TE Connectivity Passive Product
H886R6BCA
TE Connectivity Passive Product
H886R6BDA
TE Connectivity Passive Product
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
XC7A25T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-1
Intel
5SGXEA5K2F40I2N
Intel
5CEFA7M15I7N
Intel
XC7A35T-2CPG236I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300C-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP1S80F1508I7
Intel