casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HB33M0FZRE
codice articolo del costruttore | HB33M0FZRE |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-HB33M0FZRE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB33M0FZRE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 3 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 2.047" L x 0.118" W (52.00mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.409" (10.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB33M0FZRE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HB33M0FZRE-FT |
H886R6BCA
TE Connectivity Passive Product
H886R6BDA
TE Connectivity Passive Product
H888R7BCA
TE Connectivity Passive Product
H888R7BDA
TE Connectivity Passive Product
H8909RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8909RBDA
TE Connectivity Passive Product
H890R9BCA
TE Connectivity Passive Product
H890R9BDA
TE Connectivity Passive Product
H890R9BZA
TE Connectivity Passive Product
H891KBDA
TE Connectivity Passive Product
XC4008E-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX16A-FG256M
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
XC5VLX155-3FFG1153C
Xilinx Inc.
XC4VLX100-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation