casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HB33M0FZRE
codice articolo del costruttore | HB33M0FZRE |
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Numero di parte futuro | FT-HB33M0FZRE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB33M0FZRE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 3 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 2.047" L x 0.118" W (52.00mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.409" (10.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB33M0FZRE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HB33M0FZRE-FT |
H886R6BCA
TE Connectivity Passive Product
H886R6BDA
TE Connectivity Passive Product
H888R7BCA
TE Connectivity Passive Product
H888R7BDA
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H8909RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8909RBDA
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H890R9BCA
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H890R9BZA
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H891KBDA
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LCMXO2-2000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
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EP1K50QI208-2N
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