casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HB3330MFZRE
codice articolo del costruttore | HB3330MFZRE |
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Numero di parte futuro | FT-HB3330MFZRE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB3330MFZRE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 330 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 2.047" L x 0.118" W (52.00mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.409" (10.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB3330MFZRE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HB3330MFZRE-FT |
H8866RBYA
TE Connectivity Passive Product
H886R6BCA
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A54SX16A-1TQG144
Microsemi Corporation
AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
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Intel
5SGXEA3K2F35I2N
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A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC4VFX40-10FFG1152C
Xilinx Inc.
XC6VSX315T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PL84I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-2N
Intel
5SGXEA3H2F35I2N
Intel