casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HB31G0FZRE
codice articolo del costruttore | HB31G0FZRE |
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Numero di parte futuro | FT-HB31G0FZRE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB31G0FZRE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1 GOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 2.047" L x 0.118" W (52.00mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.409" (10.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB31G0FZRE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HB31G0FZRE-FT |
H847KFCA
TE Connectivity Passive Product
H8750RDCA
TE Connectivity Passive Product
H878R7BYA
TE Connectivity Passive Product
H884R5BCA
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H884R5BDA
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H884R5BZA
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H8866RBYA
TE Connectivity Passive Product
H886R6BCA
TE Connectivity Passive Product
H886R6BDA
TE Connectivity Passive Product
H888R7BCA
TE Connectivity Passive Product
A3P125-TQ144
Microsemi Corporation
XC2VP2-6FG256I
Xilinx Inc.
AT40K05AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA7K2F40I3
Intel
10AX022C4U19I3SG
Intel
XC4VFX60-11FF672C
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC3D3F31I3N
Intel
5AGXMA5G6F35C6N
Intel