casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HB3100MFCRE
codice articolo del costruttore | HB3100MFCRE |
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Numero di parte futuro | FT-HB3100MFCRE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB3100MFCRE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 100 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 2W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 2.047" L x 0.118" W (52.00mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.409" (10.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB3100MFCRE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HB3100MFCRE-FT |
H884R5BZA
TE Connectivity Passive Product
H8866RBYA
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LCMXO640E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XA7A75T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQG176
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C3N
Intel
A42MX09-2PQ160I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50BC356-4
Intel
EP1C12F324C7
Intel
EPF10K50SQC240-3
Intel