casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HB150MFZRE
codice articolo del costruttore | HB150MFZRE |
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Numero di parte futuro | FT-HB150MFZRE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB150MFZRE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 50 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 1.043" L x 0.118" W (26.50mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.409" (10.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB150MFZRE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HB150MFZRE-FT |
H891KBDA
TE Connectivity Passive Product
H8931RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8931RBDA
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H893R1BCA
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LFE2-6E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-CSG81I
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A54SX32A-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152I
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EP4CE10F17C9L
Intel
5SGSMD5H1F35C2N
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5SGXEA4K3F35I3LN
Intel
LFE2M50E-5F672C
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LCMXO256E-3MN100C
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LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation