casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HB1500MFZRE
codice articolo del costruttore | HB1500MFZRE |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-HB1500MFZRE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB1500MFZRE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 500 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 1.043" L x 0.118" W (26.50mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.409" (10.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB1500MFZRE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HB1500MFZRE-FT |
H890R9BDA
TE Connectivity Passive Product
H890R9BZA
TE Connectivity Passive Product
H891KBDA
TE Connectivity Passive Product
H8931RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8931RBDA
TE Connectivity Passive Product
H893R1BCA
TE Connectivity Passive Product
H893R1BDA
TE Connectivity Passive Product
H8953RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8953RBZA
TE Connectivity Passive Product
H895R3BCA
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16U484A7N
Intel
EP2AGX45DF25C4N
Intel
10AX048K2F35E2LG
Intel
5SGSMD8N3F45I4
Intel
XC5VLX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP1K30QC208-2
Intel