casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HB13M0FZRE
codice articolo del costruttore | HB13M0FZRE |
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Numero di parte futuro | FT-HB13M0FZRE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB13M0FZRE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 3 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 1.043" L x 0.118" W (26.50mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.409" (10.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB13M0FZRE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HB13M0FZRE-FT |
H893R1BDA
TE Connectivity Passive Product
H8953RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8953RBZA
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H895R3BZA
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H8976KBCA
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H8976RBCA
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H8976RBDA
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H8976RBZA
TE Connectivity Passive Product
ICE5LP4K-SG48ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-1TQ144I
Microsemi Corporation
APA600-BGG456
Microsemi Corporation
APA150-PQ208I
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA9N3F45C4N
Intel
XC5VLX220-1FFG1760C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000EFC33-2X
Intel