casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HB13M0FZRE
codice articolo del costruttore | HB13M0FZRE |
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Numero di parte futuro | FT-HB13M0FZRE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB13M0FZRE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 3 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 1.043" L x 0.118" W (26.50mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.409" (10.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB13M0FZRE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HB13M0FZRE-FT |
H893R1BDA
TE Connectivity Passive Product
H8953RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8953RBZA
TE Connectivity Passive Product
H895R3BCA
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H895R3BDA
TE Connectivity Passive Product
H895R3BZA
TE Connectivity Passive Product
H8976KBCA
TE Connectivity Passive Product
H8976RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8976RBDA
TE Connectivity Passive Product
H8976RBZA
TE Connectivity Passive Product
EP1K50TC144-1
Intel
LFXP3E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FG256I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FGG256M
Microsemi Corporation
AX250-1FG256
Microsemi Corporation
M1AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB5R1F40C1N
Intel
AGL125V2-FG144T
Microsemi Corporation
10AX032E2F27I1SG
Intel