casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HB1300MFZRE
codice articolo del costruttore | HB1300MFZRE |
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Numero di parte futuro | FT-HB1300MFZRE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB1300MFZRE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 300 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 1.043" L x 0.118" W (26.50mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.409" (10.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB1300MFZRE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HB1300MFZRE-FT |
H8953RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8953RBZA
TE Connectivity Passive Product
H895R3BCA
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H895R3BDA
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H895R3BZA
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H8976KBCA
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H8976RBCA
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H8976RBDA
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H8976RBZA
TE Connectivity Passive Product
H897R6BCA
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A1010B-2PQG100I
Microsemi Corporation
XC2VP2-6FG456I
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-5F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S6-1CPGA196I
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U1F45I1SG
Intel
EP3C40F780C8
Intel
EP1C20F324C7N
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EPF10K100EQC240-2X
Intel