casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HB120MFZRE
codice articolo del costruttore | HB120MFZRE |
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Numero di parte futuro | FT-HB120MFZRE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB120MFZRE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 20 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 1.043" L x 0.118" W (26.50mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.409" (10.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB120MFZRE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HB120MFZRE-FT |
H8976KBCA
TE Connectivity Passive Product
H8976RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8976RBDA
TE Connectivity Passive Product
H8976RBZA
TE Connectivity Passive Product
H897R6BCA
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H897R6BDA
TE Connectivity Passive Product
H897R6BZA
TE Connectivity Passive Product
H89K76BCA
TE Connectivity Passive Product
H89K76BYA
TE Connectivity Passive Product
H4P100KFZA
TE Connectivity Passive Product
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XCV200-4FG256I
Xilinx Inc.
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C6
Intel
10AX032H2F34E2SG
Intel
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35I4N
Intel