casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / HB11M0FZRE
codice articolo del costruttore | HB11M0FZRE |
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Numero di parte futuro | FT-HB11M0FZRE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB11M0FZRE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1 MOhms |
Tolleranza | ±1% |
Potenza (Watt) | 1W |
Composizione | Thick Film |
Caratteristiche | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | ±100ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 1.043" L x 0.118" W (26.50mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.409" (10.40mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB11M0FZRE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HB11M0FZRE-FT |
H893R1BCA
TE Connectivity Passive Product
H893R1BDA
TE Connectivity Passive Product
H8953RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8953RBZA
TE Connectivity Passive Product
H895R3BCA
TE Connectivity Passive Product
H895R3BDA
TE Connectivity Passive Product
H895R3BZA
TE Connectivity Passive Product
H8976KBCA
TE Connectivity Passive Product
H8976RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8976RBDA
TE Connectivity Passive Product
XC4008E-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG484
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-3N
Intel
EP1K50FC256-3
Intel
XC2V1500-5BG575I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FF1761C
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX24-PLG84
Microsemi Corporation
EP2SGX90FF1508C4N
Intel